Asemi FET 12n65 parameters, 12n65 specifications, 12n65 features

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ASEMI Field effect tube 12N65 Parameters ：

model ：12N65

Leakage source voltage （VDSS）：650V

Continuous drain current （ID）：12A

gate threshold voltage （VGS(TH)）：±30V

Power waste （PD）：140W

Drain source leakage current （IDSS）：10uA

gate threshold voltage （VGS(TH)）：4V

Static drain source on resistance （RDS(ON)）：0.68Ω

Output capacitance （COSS）：150pF

Maximum pulse forward current （ISM）：48A

Forward voltage of drain source diode （VSD）：1.4V

Reverse recovery time （trr）：380nS

 

12N65 Specifications and dimensions ：

encapsulation ：TO-220AB

Total length ：30.47mm

Body length ：9.4mm

Pin length ：14.27mm

Width ：10.28mm

Height ：4.7mm

Foot spacing ：2.54mm

 

12N65 features ：

Low intrinsic capacitance

Excellent switching characteristics

Expand secure workspace

Unparalleled gate charge ：Qg= 44nC (Typ.)

RDS(on)：0.68 Ω (Max) @VG=10V

100% Avalanche test