《一周学习模电》-电容、三极管、场效应管

系列文章目录

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一、电容

1.旁路电容

1、输入电压均匀化，减小噪声对后级的影响
2、进行储能，当外界信号变化过快，及时进行电压补偿。

2.去耦电容

1、针对于输出信号，滤除干扰信号
2、去耦电容一般较大，为10uF或更大，旁路电容一般根据谐振频率选取，为0.1uF或0.01uF。

3.滤波和储能

滤波：滤除杂波，大电容率滤低频率，小电容滤高频。
储能作用：收集电荷

4.应用

注意耐压值和防止短接

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二、晶体三极管

1.概述

由半导体组成具有三个电极的半导体，是一种利用输入电流控制输出电压的电流控制型器件。

放大状态：发射结正偏，集电结反偏
如下图所示，IC电流大小受IB控制。

饱和状态：发射结和集电结都正偏
饱和状态IC电流不受IB控制，两者都比较大

截至状态：发射结反偏，或者两端电压为0
如下图所示，VC为0，三极管截至状态

三极管的伏安特性曲线如下

2.主要参数

共发射极电流放大系数：
集电极最大允许电流
集电极最大允许耗散功率
集电极—发射极间反向击穿电压
下图为S9013的主要参数

三、场效应管

1.概述

是一种电压控电流器件，具有栅极、源极和漏极三个电极
以IRFP260NPbF为例：

场效应管的伏安特性曲线如下图所示：

IRFP260NPbF的伏安特性曲线如下所示：

截至区：电压小于开启电压，MOS管不导通
可变电阻区：VDS很小，电流随Vgs的增加而增大
恒流区：Vgs不变，Vds增大电流变化很小
击穿区：VDs过大，这种情况下，MOS管容易烧坏

三极管和场效应管区别

三极管	场效应管
电流控制器件	电压控制器件
输入阻抗不高	输入阻抗高
噪声高	噪声小
速度快	速度慢