台积电3nm细节曝光：晶体管密度高达2.5亿个/mm²，性能及能效大幅提升

很快台积电的5nm工艺即将量产，与此同时，台积电的3nm工艺也在持续推进当中。去年7月，台积电就公开表示其 3nm 工艺的开发进展顺利，并且已经与早期客户就技术定义进行了接触。近日，台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情，其晶体管密度达到了惊人的2.5亿个/mm²！

根据资料显示，基于台积电7nm EUV工艺的麒麟990 5G尺寸为113.31mm²，晶体管为103亿个，平均下来是0.9亿个/mm²，而台积电的3nm工艺则可将晶体管密度提升到2.5亿个/mm²。在性能提升方面，台积电5nm工艺相比7nm性能可提升15%，能效比提升30%，而3nm较5nm性能则可进一步提升7%，能效比提升15%。

另外，台积电在评估多种选择后认为现行的FinFET工艺在成本及能效上更佳，所以3nm首发依然会是FinFET晶体管技术。而三星则将会淘汰FinFET晶体管直接使用GAA环绕栅极晶体管，并且已经在GAA环绕栅极晶体管技术上取得了突破。不过，根据最新的消息显示，受今年新冠疫情的影响，三星的3nm工艺的进度可能将推迟。而台积电则表示，其3nm工艺研发符合预期，并没有受到疫情影响，预计在2021年进入风险试产阶段，2022年下半年量产。

编辑：芯智讯-林子