从器件物理级提升到电路级

反型层的形成

Vg升高，形成耗尽层。

当栅氧化层电容和耗尽区的电容充满，保持恒定后，开始形成反型层。

沟道电荷增加。

P+重掺杂来减小阈值电压。
在实际中,由上式得到的“本征”國值电压可能不适用于电路设计,举例来说,VTH=0,因而VG=0时器件不会关断。因此,在器件制造过程中通常通过向沟道区注入杂质来调整阙值电压,其实质是改变氧化p型村底层界面附近衬底的掺杂浓度。例如,如图所示,如果形成了p*薄层,那么就需要增加栅压使此区域图2.7 用来改变阔值电压的p+杂剂的耗尽。

沟道电荷的不均匀分布

超过阈值电压，随着栅压增加，导通电阻逐渐减小。

沟道电荷

1、线性区

2、沟道饱和区