MOS transistor 24n50 parameters of asemi, 24n50 package, 24n50 size

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ASEMI Of MOS tube 24N50 Parameters ：

model ：24N50

Leakage source voltage （VDSS）：500V

Continuous drain current （ID）：24A

Gate source voltage （VGSS）：±30V

Power waste （PD）：290W

Drain source leakage current （IDSS）：50uA

gate threshold voltage （VGS(TH)）：4V

Static drain source on resistance （RDS(ON)）：0.24Ω

Output capacitance （COSS）：670pF

Maximum pulse forward current （ISM）：96A

Forward voltage of drain source diode （VSD）：1.4V

Reverse recovery time （trr）：250nS

 

24N50 Package size ：

encapsulation ：TO-247

Total length ：41.55mm

Body length ：21.3mm

Pin length ：20.25mm

Width ：16.25mm

Height ：5.05mm

Foot spacing ：5.7mm

 

24N50 features ：

RDS(ON)=0.24Ω @ VGS=10V

High switching speed

100% Avalanche test