MOSFET米勒平台（Miller Plateau）

1、MOSFET寄生电容

Ciss = Cgs + Cgd

Coss = Cds + Cgd

Crss = Cgd

2、米勒平台

下图中t2~t3这段时间，VGS处于一个平台位置，这个平台称作米勒平台。

3、米勒平台仿真

与第2节中的图是有些不一样的：

• Vdd
• Id

3.1、米勒电容Cgd对米勒平台的影响

Cgd = 1nF，Cgs = 100nF	米勒平台大概1us的时间：16~17us
Cgd = 10nF，Cgs = 100nF	米勒平台大概6us的时间：17~23us
Cgd = 100nF，Cgs = 100nF	米勒平台大概73us的时间：17~90us

3.2、Cgs对米勒平台的影响

Cgd = 1nF，Cgs = 100nF	t1=16us，Vds电压被抬升至5.4V，米勒平台时间不变
Cgd = 1nF，Cgs = 10nF	t1=2.9us，Vds电压被抬升至6.2V（因为Vgs电压充电很快，Cgd带着Vds电压抬升），米勒平台时间不变

3.3、驱动电流对米勒平台的影响

	米勒平台时间变小

3.4、Cgd和Cgs的比例对米勒平台的影响

Cgd = 1nF，Cgs = 10nF
Cgd = 1nF，Cgs = 100nF
Cgd = 1nF，Cgs = 1000nF	看不到有米勒平台出现

 

3.5、Id电流对米勒平台的影响

 

 

参考

[1] Onsemi，Application Note，《MOSFET Basics》