三极管是一项伟大的发明

三极管可以实现这样的控制，当基极没有电流时，它是截止的，而当基极有了电流，三极管就导通了，这是一项伟大的发明，也正是因为这个发明，让肖克利等三位物理学家获得了1956年的诺贝尔讲。

接下来简单阐述一下它为什么能实现这样的功能，这是NPN型管的结构示意图，那么NPN说的是什么呢？这里从原子结构说起，硅原子最外层有四个电子，纯净的硅晶体不导电，因为硅原子和硅原子在一块儿，最外层可以形成稳定的八电子结构。

这样硅原子既不容易得到电子，也不容易失去电子，所以说纯净的硅晶体不导电，为了能让硅导电，人们对它进行了掺杂，一个磷原子它最外层有五个电子，我们把磷原子掺进硅原子中，这时候它的最外层就多出了一个电子，这个电子只需要获得很少能量，就能够成为自由电子。

最近很多小伙伴找我要一些单片机学习资料，然后我根据自己从业十年经验，熬夜肝了几个通宵，精心整理一份「单片机入门到高级教程+工具包」，全部无偿共享给大家！！！

评论区回复六六六，关注我之后私信我即可拿。

回到主题

因为自由电子带负电，所以称它为N型半导体，N取自negative的首字母，用同样的方法，我们把硼原子掺杂进去，这样硼原子最外层就缺少了一个电子，把缺少的这个垫子用空穴替代空穴吸引电子对外显正电，我们称它为P形半导体，P字positive的首字母。

为了便于理解，把P型和N型半导体结合在一块儿，就构成了二极管，给它通上电，就有了电场，电子的受力方向和电场线方向相反，我们干脆把电场线扔掉，这样更便于理解，当P端接正极时，受力方向是这样的，自由电子可以向左运动，与空穴复合，在电源的作用下，这种运动源源不断进行，从而形成了电流。

当N端接正极时，受力方向是这样的，自由电子受到向右的电场力，不能与空穴复合，此时PN结截止，没有形成电流，这就是二极管的单向导电性，三极管可以想象成一对二极管的P区互相连接。

这是它的三个区，但是掺杂和二极管不同，它的发射区掺杂浓度最高，基区掺杂浓度很低，而且很薄，当我们电源正接时，三极管截止，当我们电源反接时，三极管依然截止，这是为什么呢？

上面我们已经说了，三极管可以看成两个二极管P区相连，你看两个二极管方向相反，所以无论我们怎么弄，都有一个二极管截止，为了能让这个三极管导通，我们给BE级也接上电源，此时这个二级管开始导通，发射区上的自由电子源源不断地流向基区，奈何基区掺杂的空穴浓度很低，而且很薄。

基区短时间内吸收不了这么多电子，只有一少部分的电子与空穴复合形成基极电流，二大部分被吸引到了极点区，形成集电极电流，也就是三极管的输出电流，流过基极的电流越大，流道积蓄的自由电子也更多，相应的，更多的自由电子流向了集电极，这就是三极管小电流控制大电流的大致原理。

文章相对比较长，字数比较多，大家可以先打开头像关注我，之后慢慢看，///插播一条：我自己在今年年初录制了一套还比较系统的入门单片机教程，想要的同学找我拿就行了免費的，私信我就可以哦~点我头像左下角黑色字体加我也能领取哦。最近比较闲，带做毕设，带学生参加省级或以上比赛///

基区做得很薄是为了能让发射区的电子更容易进入集电区，浓度很低是为了形成更小的基极电流，这样才能有更多的自由电子流向集电区，如果浓度很高的话，自由电子进入基极会很容易，这样一来流进集电区的电子就会变少，因为发射区里面流出来的电子数是一定的。

流向基极的电子多了，那么流向集电区的就会变少，而发射区掺杂浓度高，是为了确保有足够多的自由电子进入基区和集电区，最后问大家一个问题，把两个二极管焊接在一起能否构成一个三极管呢？大家可以在评论区说说自己的看法。

好了，这期就到这里了，觉得对屏幕前的你有帮助的麻烦一键三连