LDO investigation

LDO即low dropout regulator，是一种低压差线性稳压器。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5V转3.3V，输入与输出之间的压差只有1.7v，显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况，芯片制造商们才研发出了LDO类的电压转换芯片。
压差Dropout、噪音Noise、电源抑制比（PSRR）、静态电流Iq，这是LDO的四大关键数据。
产品设计师按产品负载对电性能的要求结合四大要素来选择LDO。
在手机上用的LDO要求尽可能小的噪音（纹波），在没有RF的便携式产品需求静态电流小的LDO。

压差Dropout

Vin >= Vdrop + Vout。
且一般需要两个外接电容：Cin、Cout，一般采用钽电容或MLCC。
注意：LDO是稳压器。

一般典型的压差电压值为50mV，200mV，240mV，400mV。

[1]彭宇. 一种无片外电容的NMOS LDO[D].天津理工大学,2022.
典型压差电压值约为82mV;【1.7V-1.2V-82mV】
输入电压在1.7-5.5V的范围时,输出电压1.2-5V范围。

噪音Noise

电源抑制比（PSRR）

一般LDO的电源电压抑制比在70dB~80dB，少数为58dB左右。

可以看出,低频时, PSRR为83 dB,频率为100 kHz时, PSRR仍有30