mos管闩锁效应理解学习

以下为一个反相器，左边为nmos，右边为pmos。

pmos是做在N-well中的，在N-well中会形成PNP三极管。

NPN的发射极：nmos的N+注入层，基极：p-sub，集电极：pmos的n-well

nmos连接p-sub衬底，会形成NPN三极管。

NPN的发射极：pmos的P+注入层，基极：n-well，集电极：p-sub

在p-sub和n-well中分别存在两个电阻，衬底电阻Rs和n-well阱电阻Rw。两个电阻与npn和pnp形成回路，如下图：图中R2为n-well电阻，R1为p-sub电阻。

                                                  

当上面回路中的某一个三极管发生正偏时，就会发生构成正反馈形成闩锁。

触发条件：电源或地线突然出现一个大的电流脉冲。

例如：当vdd出现的电流脉冲使R2上的压降大于0.7V，导致PNP导通，电流流过R1，使R1的压降大于0.7V，使得NPN管导通。NPN导通后使得一个较大的电流流过R2，R2形成的压降更大，进一步使PNP导通。形成正反馈。

集成电路版图中解决闩锁效应方法：

1.将NMOS和PMOS的阱进行分离，这样就会使三极管无法正正偏，从而无法形成闩锁。

2.在NMOS和PMOS之间使用SUB进行隔离，尽量将隔离SUB做宽一些，多打一些孔，这样隔离效果更好。

3.让衬底尽量挨近mos管放，为了避免阱临近效应，减小衬底和N阱的寄生电阻。