场效应管 | N-mos内部结构详解

引入

原理：N-mos管的栅极给高电压，漏极和源级导通

两种半导体类型

P型半导体和N型半导体，P型是空穴吸引电子，对外表现为正电，N型是游离的电子，对外表现为负电，PN结就是二极管，当P级连通电源正极，N级连通电源负极，电子受电场力作用，反向向P级移动，导通电路。

N-mos管

拿一个大的P型 和两个小的N型组装在一起，在两个N型上垫上两个金属片，一个叫做漏极，一个叫做源级，此时连通电源。

连通电源后三个半导体之间形成了两个PN结，可以看作是两个方向相反的二极管，此时电路不可能导通。接下来改进…

在两个N型之间的P部分垫上一个绝缘层和一个金属片（极管的内部结构的原理一样），再把电源正极接到金属片上，这样金属片带正电透过绝缘片吸引电子，这样两个N和这部分被吸引的电子就形成了N沟道，可以看作是一个长条的N型半导体，此时这个“N型半导体”被导通。

总结

再回到这个元器件图，栅级、源级、漏极的那一“竖”代表着金属片，中间那一“竖”代表着绝缘片，箭头指示的方向是电子流动的方向。