挡不住了，国产芯片再度突进，部分环节已进到4nm

芯片制造无疑是国产芯片最受重视的部分，不过由于种种原因，导致芯片制造跟不上芯片设计的步伐，但是这并不意味着芯片制造就陷入停滞，近期国产芯片代工商之一的长电科技就表示已实现4nm手机芯片封装，可以提升芯片的性能。

长电科技表示已具备4nm手机芯片封装技术，可以承接台积电等芯片代工厂生产的手机芯片，将CPU、GPU和射频芯片的集成封装，相比起以往的芯片封装技术，长电科技这项封装技术有利于提升手机芯片整体性能，降低功耗，同时减小体积，对于手机这种精密机器非常重要。

业界可能都对台积电、三星量产4nm耳熟能详，先进工艺有助于提升芯片的性能、降低功耗，对于手机芯片来说由于手机的体积小，因此更需要采用先进工艺来获得更佳的性能、功耗表现，而对于芯片来说，其实除了制造之外，还有封测环节也非常重要。

封测环节是将台积电、三星等芯片制造企业生产出来的合格晶圆进行切割、焊线、塑封，这个过程同样需要很高的技术，确保切割过程中不会损坏晶圆，然后将芯片电路与外部器件实现电器连接，再以恰当的包装为它提供保护，最后对封装完毕的芯片进行功能和性能测试，确保出厂的芯片是合格产品。

随着先进工艺越来越接近瓶颈，加上先进工艺的成本越来越昂贵，芯片设计企业和芯片制造企业都开始寻求在封装技术方面进行变革，当下台积电、Intel等组建的chiplet联盟就是希望以先进封装技术将多种类型的芯片封装在一起，增强多种芯片的数据传输效率，进而提高性能，降低芯片制造成本，长电科技恰是全球前三大封测企业之一，它在先进封装技术方面达到全球领先水平，自然也有助于增强中国芯片整体实力。

先进封装技术如今已成为全球芯片行业所追求的一项重要技术，台积电、Intel等建立的chiplet联盟推进它们的封装技术，中国大陆的华为海思也已获得了芯片堆叠技术专利，如今长电科技在先进封装技术方面追上全球先进水平，都可以看出封装技术已成为各方争夺的焦点。

业界人士就推测华为可能会在手机芯片上采用芯片堆叠技术提升芯片性能，这主要是因为当下全国产芯片工艺远落后于台积电，而芯片堆叠技术可以有效提升芯片性能，如此以成熟工艺生产的海思芯片加芯片堆叠技术可以满足消费者对性能的需求。

当然对于芯片来说，最终还是需要在芯片制造工艺方面的突破，此前业界人士就指出国产芯片产业链除了封装技术上取得进展之外，在芯片制造八大环节也只剩下光刻机一项受阻，其他芯片制造环节都突进到14nm，其中刻蚀机更是进展到5nm，这就意味着国产芯片已至少有两个环节进展到5nm以上。

至于光刻机，据称中国将会两条腿走路，一方面是继续努力攻克光刻机的关键元件，力求实现先进光刻机国产化，另一方面则是寻求研发无需光刻机的芯片制造技术，这方面有日本的NIL工艺提供参考，日本的NIL工艺已被铠侠用于NAND flash存储芯片生产，据称到2025年将可以用于5nm工艺的生产，而国产芯片制造据称也在往这个方向努力。

总的来说，无论从哪方面来看，中国在芯片各个环节都在努力推进，能取得的任何进步都是值得惊喜的，毕竟饭要一口一口吃，当其他环节都已为先进工艺准备好，那么当光刻机问题得到解决的时候，国产先进工艺就能立刻上马，有足够的准备才能更快收获硕果。