DC-DC自举电容（BOOT）几个问题

参考：DC-DC自举电容（BOOT）几个问题
这个问题跟Buck芯片内部的使用的管子有关系，如果内部2个开关管都是NMOS管，那么是需要自举电容的。但是有的BUCK芯片上管是PMOS管，不需要产生比Vin还高的电压，也就不需要boot电容。

DC-DC在工作时，SW管脚电压在M2导通时是接GND的，在M2断开时是接VIN，SW电压与电源输入VIN相同。上管M1的Vgs由驱动器控制，我们知道，要想Vgs要能够导通，Vgs必须要大于M1的导通门限Vgsth。因为驱动器的电源负端在M2断开时电压已经是与源输入Vin相同了，所以驱动器的供电必须大于Vin。

在M2导通时，SW接到了GND，自举电容一端也接到了GND，5V通过二极管给上管M1供电，并且给自举电容充电。

在M2由导通变为关闭的时，SW由GND变为VIN，自举电容两端的电压不能突变，因此Boot端被升到大于Vin电压，给驱动器进行供电。

自举电容存在的能量应能满足整个M2关闭时提供的能量以及为下一次启动提供能量。

自举电阻选取
其实在自举电路中，也可以加入电阻，一般叫 BOOT 电阻。BOOT 电容的作用是 SW 在高电平时，利用电容两端电压不能突变特性，会将 BOOT 脚电压泵至比 SW 高的电压，维持高边 MOSFET 的导通状态。

加入了 BOOT 电阻，和 BOOT 电容就构成了 RC 充电电路。

BOOT 电阻的大小决定了高边 MOSFET 的开关速度。一般 BOOT 电阻越大，高边 MOSFET 开的就越慢，这个时候 SW 上的尖峰就越小，EMI 特性就好。BOOT 电阻越小，MOSFET 开的快，SW 上的尖峰就越大，所以有的时候会在 SW 上预留 RC 对地吸收。