MOS管参数μCox得到的一种方法

已知tox可以算 COX,成反比。

dc仿真后，print model parameter(也可能是dc operating point)，找到tox和u0这两个参数，tox是氧化层厚度，可以根据这个算Cox，u0就是迁移率了
基本单位化为fF/um^2是不错的选择。

主要是Toxe, the electric gate oxide thickness, 在mrtlMOD=1时, Toxe=EOT
Toxp作参考，the physical gate oxide thickness
Toxm好像仅仅是一个权，在计算K1/K2时用到（Toxe/Toxm）
这三个值好像必须是正数。如果做SS/FF corner可能把三个值同时比例放大缩小就可以了

需要的参数：
epsrox：相对真空介电常数
toxe：电学等效栅氧化层厚度，后面那个toxn5是不同工艺角下乘上的系数（tt工艺角下toxn5就是1），所以我们可以只管前面那部分
toxm：参数提取时用的TOX值
vth0:阈值电压，后面那个dvth0n5是不同工艺角下面的阈值电压偏差值
u0:弱场下面的载流子迁移率，后面参数同理
之后根据公式计算参数就行（这点有个例子，bsim里面的参数单位应该都是国际标准单位，计算的时候注意单位就行）

参考： MOS管参数μCox得到的一种方法