分享高压超低噪声LDO测试结果（High Voltage Ultra-low Noise LDO）

LDO设计要求：

输出150V，负载0~500mA，波形峰峰值优于2mVrms；

以下是用音频分析仪测得的有效值RMS和峰峰值P-P。测试带宽10Hz~1Mhz。

图1 负载电流500mA时的波形有效值rms

图2 负载500mA时的波形峰峰值p-p

图3 负载100mA时的rms
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图4 负载100mA时的峰峰值p-p

         空载时，输出150.42V，带负载500mA时输出150.15V，比空载时低了0.27V，占比0.18%，负载稳定度99.82%（1-0.18%），稳定度还算可以。输出阻抗：0.27V / 500mA = 0.54Ω，比低压LDO的IC输出阻抗大，但作为分立器件搭建的高压LDO，这个输出阻抗我是可以接受的。

         在整个负载范围内(0-500mA）输出的噪声峰峰值都能控制在500uVrms以内，满足设计要求。

在输出负载500mA时，功率管上将会有2W的热量，所以需要2W的散热片。

图5 实物图，负载用的rigol的负载测试仪
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