应广单片机开发案例

特性

l 全自我知识产权 8 位指令集

l 8 层 10bit 硬件堆栈

l 1Kx14b 程序 FLASH 存储空间（16bytes/page）

l 256x8b 数据 EEPROM（16bytes/page）

l 数据 EEPROM 可在应用编程

l 64x8b SRAM

l 1 x 带 8 位预分频的定时器 0

l 1 x 带 8 位预分频的定时器 2

l 带 7 位预分频的 WDT，溢出频率约为 16-2048ms

l 上电延迟计数器 PWRT

l 低功耗模式 SLEEP

l 4 个唤醒源，INT、端口变化中断、WDT、数据 EEPROM 写完成

l 内置高速 RC 振荡器，最高频率支持 16M

l 内置低速 RC 振荡器，32K 模式

l 最多 6 个通用 IO

l 端口变化中断，PA0-PA5

l 支持在系统编程 ISP

l 支持在线调试

l 程序空间保护

l 工作电压范围：2.0V - 5.5V

l 工作温度范围-40-85℃

l 最大时钟工作频率：16MHz

² FSYS=8MHz: 2.0V - 5.5V

² FSYS=16MHz: 2.7V - 5.5V