九齐NY8B062D MCU规格书/datasheet

是以EPROM作为记忆体的8位元微控制器，专为家电O或量测等的I/应用设计。采用CMOS工艺同时提供客户优势、性能、及高性价比等显着优势。 NY8B062D 核心建立在 RISC 专业教程组框架可以很容易地做编辑和控制，共有 55 条指令。除了需要 2 个，大多数指令都是 1 个即能完成，可以让用户轻松地以程序控制完成不同的。因此非常适合各种中低记忆容量但又的应用。NY8B0062D内建虚假加十一十二通道元类比数位选择器，与骆驼位电压比较器，可以应对各种复杂情况类比介面的细节与量测。在I/O的资源方面，NY8B062D有14个根弹性的I/O脚，每个I/O脚单独的暂定器控制为输入或输出存脚。而且每一个I/O脚位附加的程序控制功能如上拉或下拉或开漏（Open-Drain）输出控制。另外针对红外线摇的产品方面，NY8B062D内建了频率的红外载波发射口。
NY8B062D 有四组定时事件，利用系统频率作为一般的计时的或者从外部提供号触发计数。 LED、或蜂鸣器等等。
NY8B062D采用双环机制，可以分别选择内部RC机制或外部晶体输入。抗议模式（待机模式）与睡眠模式（暂停模式）可节省电力消耗延长电池寿命。并且微控制器在内部使用RC极速时，速可以同时使用外部低的水晶。计时可以维持高速处理同时又能计算真实时间。 ) 来处理突发事件。
功能：
-宽广的工作电压：[email protected]系统频率≦8MHz。[email protected]系统频率>8MHz。
-宽广的工作温度：-40°C~85°C。
-2Kx14位EPROM。
-128字节SRAM。
-14根可分别单独控制输入输出方向的I/O脚（GPIO）、PA[7:0]、PB[5:0]。
-PA[5,3:0]及PB[3:0]选择输入时使用内建下拉搜索。
-PA:0]及[5:0]PB输入时使用上拉电阻。
-PB[5:0]脑开电路输出(Open-Drain)。
-PA[5]看似输入或开启输出(Open-Drain)。
-所有I/O脚输出一般灌电流（Normal Sink current）或大灌电流（Large Sink Current），除PA5外。
-8层程序(Stack)。
-访问资料有直接或特定的地点模式。
-一组8位元上数发生(Timer0)包含可程序化的频率预除线路。
-三组 10 位元下数发生 (Timer1, 2, 3)任选重复载入或连续下数计时。
-三个 10 位元说宽度调变(PWM1, 2, 3)。
-三个蜂鸣器输出(BZ1, 2, 3)。
-38KHz/57KHz 红外线载波信号选择，同时作支付之选择也可以根据数据。
-准确的低电压内电路(LVD)。
-内建十一一通道12位元类比数转换器（Analog to Digital Converter）。
-内建准确的电压比较器（Voltage Comparator）。
-内建上电复位电路(POR)。
-内建低压复位功能（LVR）。
-内建看门狗计时（WDT），程序柔体控制开关。
-内功能建立频率转换器(RFC)。

存储器结构
NY8B062D内存分为两类：一类是程序内存，一类是数据内存。
1.程序存储器
NY8B062D 的程序存储空间为 2K 字。因此，程序计数器 (PC) 为 11 位宽，以便寻址程序存储器的任何位置。
程序存储器的某些位置保留作为中断入口。上电复位向量位于 0x000。软件中断向量位于 0x001。内部和外部硬件中断向量位于 0x008。
NY8B062D 提供了GOTOA、callA 指令来寻址程序空间的256 个位置。 NY8B062D 还提供了 LCALL 和 LGOTO 指令来寻址程序空间的任意位置。当有调用或中断发生时，下一个 ROM 地址写入栈顶，当执行 RET、RETIA 或 RETIE 指令时，栈顶数据为读取并加载到 PC。
NY8B062D 程序 ROM 地址 0x7FE~0x7FF 是保留空间，如果用户试图在这些地址中编写代码将获得意想不到的错误功能。
NY8A062D 程序 ROM 地址 0x00E~0x00F 是预置的滚动代码，可以释放作为正常程序空间使用。
2.数据存储器
根据用于访问数据存储器的指令，数据存储器可分为三类：一类是R页特殊功能寄存器（SFR）+通用寄存器（GPR），一类是F页SFR，另一类是 是 S 页 SFR。 GPR 由 SRAM 构成，用户可以使用它们来存储变量或中间结果。R 页数据存储器分为 4 个 bank，可以通过 SFR 寄存器直接或间接访问，即文件选择寄存器 (FSR)。 STATUS [7:6] 用作 Bank 寄存器 BK[1:0] 以从 4 个 bank 中选择一个 bank。
R页寄存器可分为寻址方式：直接寻址方式和间接寻址方式。