mos管實現主副電源自動切換電路，並且“零”壓降，靜態電流20uA

在國外看到一個電路，也是寫主副電源自動切換的電路，設計的非常巧妙。

上面電路設計也挺不錯的，如果VCC端需要的電壓不一定要求等於VUSB，那麼這個電路是可以的，那麼問題來了，如果主副輸入電壓相等，同時要求輸出也是同樣的電壓，不能有太大的壓降，怎麼設計？
上面的電路肯定不能滿足了，因為D1的壓降最小也是0.3V，我們看下面的電路。

這個電路咋一看複雜很多，其實很簡單，巧妙的利用了MOS管導通的時候低Rds的特性，相比二極管的方式，在成本控制較低的情况下，極大的提高了效率。
本電路實現了，當Vin1 = 3.3V時，不管Vin2有沒有電壓，都由Vin1通過Q3輸出電壓，當Vin1斷開的時候，由Vin通過Q2輸出電壓。因為選用MOS管的Rds非常小，產生的壓降差不多為數十mV，所以Vout基本等於Vin。

原理分析

1、如果Vin1 = 3.3V，NMOS Q1導通，之後拉低了PMOS Q3的栅極，然後Q1也開始導通，此時，Q2的栅極跟源極之間的電壓為Q3的導通壓降，該電壓差不多為幾十mV，因此Q2關閉，外部電源Vin2斷開，Vout由Vin1供電，Vout = 3.3V。此時整個電路的靜態功耗I1+I2 = 20uA。

2、現在，Vin1斷開了，Q1截止，Q2的栅極有R1的下拉，所以Q2導通，Q3的栅極通過R2上拉，所以Q3也截止，整個電路，Q1跟Q3截止，Vout由Vin2供電，Vout = 3.3V。此時上面電路I1跟I2的靜態功耗不存在。

分析完畢。當存在主電源時，電路的靜態功耗為20uA，否則，幾乎為零。所以電池適合在外部電源供電。

MOSFET Q1、Q2跟Q3應該選擇具有低壓栅極和非常低的導通電阻特性。例如：Q2 = Q3 = PMN50XP ，在V gs = 3.3V時R dsON為60mΩ。晶體管T3可以是流2N7002，僅供參考，實際根據不同的情况選擇合適的MOSFET。

本電路的一大優點就是，整個電路幾乎不存在壓降，當然電流很大的適合另說，巧妙的控制三個MOS管的開啟與截止，最大效率的實現的主副電源的自動切換。

參考原文：《非常精妙的主副電源自動切換電路，並且“零”壓降，你GET到精髓了嗎？》